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GeneSiC Semiconductor MBR120200CTR

MBR120200CTR

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画像は参考用です。製品仕様を参照してください。

部品型番:MBR120200CTR
メーカー:GeneSiC Semiconductor
説明:DIODE SCHOTTKY 200V 60A 2 TOWER
プロダクト:ディスクリート半導体製品
フリーステータス/ RoHS状態:鉛フリー/ RoHS準拠
GeneSiC Semiconductor MBR120200CTRの詳細情報については
MBR120150CT thru MBR120200CTR
  • 製品仕様
  • 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@:920mV @ 60A
  • 電圧 - 逆（VR）（最大）:200V
  • サプライヤデバイスパッケージ:Twin Tower
  • 速度:Fast Recovery = 200mA (Io)
  • シリーズ:-
  • パッケージング:Bulk
  • パッケージ/ケース:Twin Tower
  • 動作温度 - ジャンクション:-55°C ~ 150°C
  • 装着タイプ:Chassis Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）:1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム:4 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
  • ダイオードタイプ:Schottky
  • ダイオード構成:1 Pair Common Anode
  • 詳細な説明:Diode Array 1 Pair Common Anode Schottky 200V 60A Chassis Mount Twin Tower
  • 電流 - 漏れ@ Vrとリバース:1mA @ 200V
  • 電流 - 平均整流（イオ​​）（ダイオード当たり）:60A

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