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AMI Semiconductor / ON Semiconductor NJVMJD127T4G

NJVMJD127T4G

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画像は参考用です。製品仕様を参照してください。

部品型番:NJVMJD127T4G
メーカー:AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明:IC TRANS PNP 8A 100V DPAK
プロダクト:ディスクリート半導体製品
フリーステータス/ RoHS状態:鉛フリー/ RoHS準拠
AMI Semiconductor / ON Semiconductor NJVMJD127T4Gの詳細情報については
MJD122/127, NJVMJD122/127
  • 製品仕様
  • 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）:100V
  • IB、IC @ Vce飽和（最大）:4V @ 80mA, 8A
  • トランジスタ型式:PNP - Darlington
  • サプライヤデバイスパッケージ:DPAK
  • シリーズ:-
  • 電力 - 最大:20W
  • パッケージング:Tape & Reel (TR)
  • パッケージ/ケース:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • 他の名前:NJVMJD127T4G-ND
    NJVMJD127T4GOSTR
  • 運転温度:-65°C ~ 150°C (TJ)
  • 装着タイプ:Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）:1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム:20 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
  • 周波数 - トランジション:-
  • 詳細な説明:Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100V 8A 20W Surface Mount DPAK
  • Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）:1000 @ 4A, 4V
  • 電流 - コレクタ遮断（最大）:10µA
  • 電流 - コレクタ（Ic）（Max）:8A

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