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GeneSiC Semiconductor MSRTA600120(A)

MSRTA600120(A)

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画像は参考用です。製品仕様を参照してください。

部品型番:MSRTA600120(A)
メーカー:GeneSiC Semiconductor
説明:DIODE MODULE 1.2KV 600A 3TOWER
プロダクト:ディスクリート半導体製品
フリーステータス/ RoHS状態:鉛フリー/ RoHS準拠
GeneSiC Semiconductor MSRTA600120(A)の詳細情報については
Three Tower Pkg Drawing
  • 製品仕様
  • 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@:1.2V @ 600A
  • 電圧 - 逆（VR）（最大）:1200V
  • サプライヤデバイスパッケージ:Three Tower
  • 速度:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • シリーズ:-
  • パッケージング:Bulk
  • パッケージ/ケース:3-SMD Module
  • 他の名前:MSRTA600120(A)GN
    MSRTA600120A
  • 動作温度 - ジャンクション:-55°C ~ 150°C
  • 装着タイプ:Chassis Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）:1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
  • ダイオードタイプ:Standard
  • ダイオード構成:1 Pair Common Cathode
  • 詳細な説明:Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 1200V 600A (DC) Chassis Mount 3-SMD Module
  • 電流 - 漏れ@ Vrとリバース:25µA @ 600V
  • 電流 - 平均整流（イオ​​）（ダイオード当たり）:600A (DC)

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